南韓SK海力士、三星和美商美光三大記憶體大廠都因高頻寬記憶體（HBM）賣翻提早走出景氣低谷，股價、市值同步大躍升。由於HBM到2026年的產能全數搶購一空，台灣記憶體大廠華邦電、南亞科和力積電等，已不甘未搭上這班AI列車而枯等，看好邊緣AI商機即將到來，已紛紛提前卡位。 根據調查，華邦電和南亞科近期都不約而同添購矽鑽孔（TSV）設備，似乎都打算透過TSV高密度鑽孔技術，搭配後段晶圓與晶圓堆疊（WoW）封裝，大幅提升資料傳出入（I/O）接腳數，讓原本運算速度追近靜態隨機存取記憶體（SRAM）的速度，卻又兼具DRAM低成本的優勢，迎接AI應用往地端和邊緣AI發展...
隨著AI蓬勃發展，高頻寬記憶體（HBM）成為記憶體新寵，正因為熱度持續升高且價格數倍於主流標準型DRAM，讓原本觀望的台廠南亞科技也動心，南亞科總經理李培瑛先前面對媒體詢問，表示：「先走得好，再跑得快，最後才是飛」。但近來傳出，南亞科內部已成立團隊，計畫搶進HBM...
總統大選期間，關於台灣國際外交路線的爭辯沒有少過。向美方傾斜並尋求保護，對台灣是否真的有利？即使選舉落幕，此議題仍值得探究。看看日本的例子，或許可給台灣一些啟示。...
三星與全球微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）日前簽署合作協議，雙方將共同斥資1兆韓元（約新台幣239億元）興建晶片研發中心。此合作案讓市場聯想三星和艾司摩爾背後肯定想幹一番大事，但雙方合作為哪樁？引發各方猜測。 多位半導體專家直指，雙方這項合作，應是三星想在下世代記憶體搭配次世代極紫外光（EUV），取得技術突破，該緊張應是美光，而不是台積電。...
攸關景氣榮枯的記憶體產業已在今年第三季落底，隨著各大原廠減產效益逐步顯現、庫存逐步消化，人工智慧（AI）筆電和智慧型手機密集上市、主流產品和先進製程持續推進，目前各家普遍認為明年記憶體產業重新回到成長的正循環。不過，業者提醒，這波記憶體景氣回升，不要認為烏雲全散去，有關於中國大陸和國際地緣政治的兩大變數，恐牽動明年記憶體景氣回升力道。
隨著AI需求愈來愈熱，具備高速傳輸速率高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，縮寫HBM）身價同步看漲。HBM也成為三大原廠包括SK海力士、三星及美光新的競逐舞台。更讓業者興奮的是，AI應用從雲端往邊緣運算以輻射狀散發開來，新運算時代到來，在「得算力者得天下」的巨輪驅動下，不只AI晶片火紅，HBM也遍地開花，三大原廠加速將產能調撥主攻DDR5 DRAM，搭配新一代HBM3e搶市，產能移轉讓庫存調整經歷長達11季之久的DRAM產業，明年可望重回景氣上升循環。
半導體庫存調整，似乎已到隧道內的盡頭，眼看就要看見光亮。各家業者似乎都在等待以巴衝突及匯率波動兩隻黑天鵝飛去。景氣雖混沌，向來對景氣嗅覺敏銳的華邦電董事長焦佑鈞指出，個人電腦、AI人工智慧、物聯網等各項科技產品都將回溫，明年展望樂觀。 這也是焦佑鈞繼今年股東會率先提出手機需求回升的觀察後，近日再提出的樂觀預期。但另一供應大廠旺宏董事長吳敏求則悲觀看待明年半導體景氣，甚至可能也難見春燕。兩人看法明顯分歧...
一名來台求學的以色列學生透露，當初選擇來台就學時曾遭父親阻撓，理由是：「台海危機升高，台灣是個不安全的地方」，力阻兒子前來就讀。但近日以色列遭巴勒斯坦激進組織哈瑪斯軍事突襲，以巴衝突爆發。半導體業人士指出，這反映地緣政治變化瞬息變化，凸顯全球半導體產業強化區域供應韌性刻不容緩。...
在AI人工智慧晶片浪潮推波助瀾下，疲弱的記憶體市況注入第一波活水。市場正密切關注全球PC霸主英特爾將於第四季推出的新一代處理器相關支援記憶體規格，這可能是第二劑強心針。
記憶體產業自去年下半年率先修正後，成為拖累全球半導體產值今年呈現衰退的元凶。「記憶體產業景氣現在就是谷底，只是何時脫離底部，仍取決於市場需求及主要原廠的減產行動！」這是近來多家記憶體上市上櫃公司決策層普遍的共識。不過，整體而言，記憶體產業要真正脫離谷底，仍得先過二關。
美國聯合日本、荷蘭合組圍剿聯盟，使得今年全球半導體產業區域發展產生更複雜的演變。在美國強力阻擋中國取得先進製程關鍵設備及材料下，中國大陸半導體產業發展受挫，美國甚至透過聯盟，擴大限制浸潤式深紫外光（DUV）設備輸中，業界解讀美國幾乎封住中國半導體產業的任督二脈，邏輯晶片無法突破7奈米以下的門檻，兩大記憶體包括DRAM及儲存型快閃記憶體（NAND Flash）同時被綁住雙腳，無法推進。 美中科技角力，雖仍讓中國可直接向美晶片廠購買不是用於軍事的晶片，但在中國也採取去美化的趨勢下，受惠者反倒是南韓三星及包括台積電、聯電、世界先進等台灣晶圓代工廠和與半導體晶片開案息息相關的晶片材料分析等廠商。
記憶體產業是景氣循環指標，不過近期出現幾個啟人疑竇訊息，透露全球不景氣及美中科技角力，有人連帶受傷，不得不減產因素，美光、SK海力士及鎧俠（KIOXIA）等大廠都被迫下修資本支出，甚至減產，設法挽救DRAM及儲存型快閃記憶體價格跌勢，唯獨記憶體龍頭廠三星擴張、增產策略不變。三星背後的盤算，已隨著美國決定將長江存儲列入制裁清單，以及蘋果暫緩採用長江存儲的快閃記憶體產品而浮出檯面，三星似乎已成為這波美中科技戰的贏家。
受到美國聯準會鷹派升息、外資持續匯出影響，台北股市指數持續破底，今年以來大盤指數跌幅已超過20%。看到指數跌跌不休，投資人最想問的是，指數是否已經見底？外資會不會繼續賣？現在是可以逢低布局的時機嗎？專家表示，現在要說看到底部還太早，預估這一波市場修正低點約在1萬3000至1萬4000點之間，後市將轉為區間震盪。
今年7月，各半導體廠釋出對今年景氣展望看法時，多數認為這波半導體修正將於今年第四季或明年第一季看到曙光，需求可望回升。不過日前親赴美國，花了12天拜會7家客戶、2家自家設計公司的南亞科總經理李培瑛返台後修正看法，他說「現在各家庫存增速實在太快，景氣比預期還糟！」
繼南亞科之後，華邦電也鴨子划水，將挺進10奈米製程，生產利基型DRAM。華邦電已成立規模逾300人的研發團隊，磨刀試煉10奈米製程近一年多，將導入高雄新廠量產。 華邦電是台廠中唯一擁有量產DRAM及快閃記憶體（Flash）兩項記憶體的廠商，且是在南亞科後又一家挺進10奈米製程的記憶廠商...
「南亞科現在每年花數十億元投入研發，規模還在持續擴大，但你知道嗎？南亞科早期靠別人技術授權，每年支付技術授權金，比現在投入的研發費用，『多很多、很多！』」南亞科總經理李培瑛語氣嚴肅，卻露出一絲笑容，道出南亞科中止向美光技術授權，決定自主開發10奈米技術的的關鍵。
美國聯準會（Fed）上周大幅升息3碼，台灣中央銀行17日起則是升息半碼（0.125百分點），台銀、土銀、合庫、一銀、彰銀、兆豐銀等自20日起，跟進調升各期別存款利率。 其中，台銀新台幣各天期一般存款及500萬元以上定期存款及定期儲蓄存款牌告利率，調整幅度介於0.055至0.19個百分點，並調升活期性存款利率，調整幅度0.125個百分點。
在資料及影像巨量成長的時代，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）因具備可儲存資料的特性，不僅數量及產值超越動態隨機存取記憶體（DRAM），且每年應用持續成長。連帶在海量的資料量中，扮演儲存資料及管理的控制晶片，重要性也日漸升高。
台塑集團近10年來在科技領域最大手筆投資的南亞科新建12吋廠投資案，在正式取得建照後，已敲定下月（6月）23日舉行動土典禮，這項投資總額高達3000億元的投資案，是台塑集團邁向DRAM技術自主、去美光化的重要布局，它代表未來南亞科產能提升，不再受到美光掣肘，堪稱台塑集團搶占AI人工智慧、5G、伺服器和元宇宙商機的重要一步。
一度因台海緊張升高，美商記憶體大廠美光在日本政府拉攏下，宣布以近70億美元在廣島擴建新12吋廠，但據調查，美光最近又啟動加碼投資台灣，尤其去年11月26日宣布與聯電全球專利侵權撤案後，隔月即啟動在桃園廠的改造計畫，決定將全球首座採用極紫外光（EUV）微影設備生產最新一代DRAM的生產基地，落腳在桃園廠。...
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