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南韓SK海力士、三星和美商美光三大記憶體大廠都因高頻寬記憶體(HBM)賣翻提早走出景氣低谷,股價、市值同步大躍升。由於HBM到2026年的產能全數搶購一空,台灣記憶體大廠華邦電、南亞科和力積電等,已不甘未搭上這班AI列車而枯等,看好邊緣AI商機即將到來,已紛紛提前卡位。 根據調查,華邦電和南亞科近期都不約而同添購矽鑽孔(TSV)設備,似乎都打算透過TSV高密度鑽孔技術,搭配後段晶圓與晶圓堆疊(WoW)封裝,大幅提升資料傳出入(I/O)接腳數,讓原本運算速度追近靜態隨機存取記憶體(SRAM)的速度,卻又兼具DRAM低成本的優勢,迎接AI應用往地端和邊緣AI發展...
隨著AI蓬勃發展,高頻寬記憶體(HBM)成為記憶體新寵,正因為熱度持續升高且價格數倍於主流標準型DRAM,讓原本觀望的台廠南亞科技也動心,南亞科總經理李培瑛先前面對媒體詢問,表示:「先走得好,再跑得快,最後才是飛」。但近來傳出,南亞科內部已成立團隊,計畫搶進HBM...
今年7月,各半導體廠釋出對今年景氣展望看法時,多數認為這波半導體修正將於今年第四季或明年第一季看到曙光,需求可望回升。不過日前親赴美國,花了12天拜會7家客戶、2家自家設計公司的南亞科總經理李培瑛返台後修正看法,他說「現在各家庫存增速實在太快,景氣比預期還糟!」
「南亞科現在每年花數十億元投入研發,規模還在持續擴大,但你知道嗎?南亞科早期靠別人技術授權,每年支付技術授權金,比現在投入的研發費用,『多很多、很多!』」南亞科總經理李培瑛語氣嚴肅,卻露出一絲笑容,道出南亞科中止向美光技術授權,決定自主開發10奈米技術的的關鍵。
美國聯準會(Fed)上周大幅升息3碼,台灣中央銀行17日起則是升息半碼(0.125百分點),台銀、土銀、合庫、一銀、彰銀、兆豐銀等自20日起,跟進調升各期別存款利率。 其中,台銀新台幣各天期一般存款及500萬元以上定期存款及定期儲蓄存款牌告利率,調整幅度介於0.055至0.19個百分點,並調升活期性存款利率,調整幅度0.125個百分點。
台塑集團近10年來在科技領域最大手筆投資的南亞科新建12吋廠投資案,在正式取得建照後,已敲定下月(6月)23日舉行動土典禮,這項投資總額高達3000億元的投資案,是台塑集團邁向DRAM技術自主、去美光化的重要布局,它代表未來南亞科產能提升,不再受到美光掣肘,堪稱台塑集團搶占AI人工智慧、5G、伺服器和元宇宙商機的重要一步。
重量級半導體廠法說會,本周由DRAM大廠南亞科(2408)打頭陣,讓本季DRAM合約價動向成為法人關注焦點。 記憶體通路商透露,包括三星、SK海力士及美光三大記憶體廠,上季DRAM(動態隨機存取記憶體)庫存已降至十季來低點,全球DRAM龍頭三星仍主導本季合約價持續漲價,...
「你知道,如果這次疫情讓台灣整個半導體製造業淪陷,被迫停工,全世界的電子產品會損失多少?」南亞科總經理李培瑛在台灣升至三級警戒後,首度接受本報專訪時,提出反問。「我概算,可能超過2兆元!」他強調,面臨看不見的病毒入侵,「對任何一家晶圓製造廠商而言,停工,茲事體大!」
晶圓代工龍頭台積電要求供應鏈擴大減碳,並將績效列入未來採購衡量指標,已驅策供應鏈加速在地生產腳步,同時也為本土化設備和材料商帶來可觀商機。
全球科技產業陷入晶片荒中,連過去甚少被提及、非主流、被視為利基型的DDR3 DRAM,去年第4季以來報價也暴漲一倍,且缺貨問題更因後段封裝產能短缺,持續擴大中。
南亞科跨出自主技術研發一大步。據了解,自行開發的1A製程,已完成脫離美光專利汙染確認,本月進行試產,預估本月底可正式產出第一顆可運作的產品, 邁向南亞科自主研發新里程碑。