發現更優的半導體材料 曾被美國逮捕的MIT教授:有望取代矽
曾被美國逮捕的麻省理工學院(MIT)教授陳剛帶領的團隊在「科學」期刊發表論文指出,他們找到了迄今最好的半導體材料,其導熱性是矽的10倍、電洞移動率(electron hole mobility)是矽的3倍,可望成為下一代電子產品的材料。電洞移動率是傳導性的重要特性,陳剛說,電子和電洞移動的阻力愈少愈好。
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